Spansion LLC, filiale commune des sociétés AMD et Fujitsu Limited, a présenté aujourd’hui des échantillons mono chip de mémoire 1 Gbit GL NOR et a démontré un composant opérationnel de mémoire 1 Gbit ORNAND basé sur sa technologie MirrorBit à 90 nm. Opérationnelle dans l’usine Fab 25 de Spansion à Austin, Texas, la technologie MirrorBit à 90 nm va donner naissance à toute une génération de mémoires Flash offrant une combinaison idéale en termes de densité, de performances, de fiabilité et de coût pour les applications mobiles et embarquées.   Opérationnelle dans l’usine Fab 25 de Spansion à Austin, Texas, la technologie MirrorBit à 90 nm va donner naissance à ligne de produits de mémoires Flash de grande capacité répondant à tous les besoins des applications mobiles et embarquées en performance, fiabilité, coût et capacité.

« Le passage à 90 nm de la technologie MirrorBit en 2005 représente une étape importante », a déclaré Bertrand Cambou, président et CEO de Spansion. « Pour l’exécution du code, les clients préfèrent les architectures NOR pour leur fiabilité, leurs performances de lecture et leur facilité d’utilisation. En faisant passer la technologie MirrorBit à de plus hautes densités à 90 nm pour les architectures NOR et ORNAND, nous permettons à nos clients de continuer à bénéficier des avantages de cette technologie pour le stockage du code et nous en étendons l’utilisation au stockage de données dans les appareils mobiles et embarqués ».

A l’occasion d’une présentation publique sur son site Fab 25 d’Austin Spansion a démontré une mémoire ORNAND à 1 Gb en technologie MirrorBit à 90 nm, destinée au stockage de données dans un téléphone portable. Utilisant une carte de développement équipée d’une mémoire Flash NOR pour le code et d’une mémoire ORNAND 1 Gb MirrorBit pour les données, les représentants de Spansion ont passé une communication téléphonique, stocké et joué des séquences vidéos. Cette démonstration a mis en valeur les hautes performances de lecture des produits Spansion qui permettent une initialisation rapide du téléphone et un rendu vidéo de haute qualité.

Les performances de lecture ont un impact sur la rapidité de mise en service du téléphone portable tout comme sur la vitesse d’exécution de ses différentes fonctions et applications telles que les jeux ou l’accès aux contenus vidéo et audio. Avec de meilleures performances de lecture, les fonctions multimédia des téléphones portables deviennent plus agréables à utiliser. La technologie MirrorBit à 90 nm s’adresse à la fois aux applications embarquées de stockage de code et de données, qui étaient jusqu’à présent servies soit par l’architecture NOR soit par l’architecture NAND. Spansion a sorti un échantillon fonctionnel de la mémoire mono-chip 1 Gb GL NOR, la plus gande capacité du marché. Cette mémoire aura des performances de lecture optimales pour répondre aux besoins de grandes capacités de stockage de code et de données de nombreuses applications embarquées.

Au cours de la présentation, Spansion a également dévoilé d’autres informations sur son programme MirrorBit 90 nm, avec les mémoires 1 Gb NOR et ORNAND prévues pour la fin de cette année et une mémoire ORNAND 2 Gb prévue pour mi-2006. De plus, la société prévoit d’échantillonner sa mémoire à très haute performance NOR 512 Mb à 1,8 volt début 2006. Spansion prévoit également de démarrer la production de la technologie MirrorBit à 65 nm en 2006.

À propos de la technologie MirrorBit

MirrorBit est une technologie mémoire Flash innovante mise au point par Spansion. Elle permet d’atteindre de meilleurs rendements et un moindre coût par rapport à la technologie à grille flottante (floating gate) traditionnelle Elle utilise un élément de stockage non conducteur et élimine 40% des étapes de fabrication les plus critiques par rapport aux technologies à grille flottante, ce qui conduit à de meilleurs rendements et en fin de compte à des capacités plus élevées et des produits plus performants à prix de revient plus bas